FDB86102LZ - ON Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-FDB86102LZ
Hersteller Teil #: FDB86102LZ
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - FDB86102LZ - MOSFET, N CH, 100V, 30A, TO-263
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Factory Lead Time  
8 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins  
3
Weight  
1.31247g
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
8.3A Ta 30A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
4.5V 10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
3.1W Ta
Turn Off Delay Time  
18.2 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
PowerTrench®
Published  
2011
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
yes
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Tin (Sn)
Terminal Form  
GULL WING
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
3.1W
Case Connection  
DRAIN
Turn On Delay Time  
6.6 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
24m Ω @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
3V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1275pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
21nC @ 10V
Rise Time  
2.1ns
Vgs (Max)  
±20V
Fall Time (Typ)  
2.3 ns
Continuous Drain Current (ID)  
30A
Threshold Voltage  
1.5V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Drain-source On Resistance-Max  
0.024Ohm
Drain to Source Breakdown Voltage  
100V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
50A
Nominal Vgs  
1.5 V
Height  
4.83mm
Length  
10.67mm
Width  
11.33mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
FDB86102LZ TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB ON SEMICONDUCTOR - FDB86102LZ - MOSFET, N CH, 100V, 30A, TO-263
FDB3682 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263AB, SINGLE, N-CH, 100V,
IRF9540NSTRLPBF TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
AUIRF540ZS TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
IPB35N10S3L26ATMA1 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 100V 35A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - FDB86102LZ - MOSFET, N CH, 100V, 30A, TO-263
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 2670 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 2.31726
Menge. Stückpreis
1+: $2.31726
10+: $2.18609
100+: $2.06235
500+: $1.94561
1000+: $1.83548
Zwischensumme: $2.31726

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